圖4顯示了4層印刷測試電路上的差分傳輸線(xiàn)的阻抗曲線(xiàn)。傳輸路徑一開(kāi)始是第一層(頂層)中的微帶線(xiàn)，然后通過(guò)一個(gè)過(guò)孔轉到第二層，此時(shí)仍然是微帶線(xiàn)，再通過(guò)第二個(gè)過(guò)孔回到第一層表面。這個(gè)路線(xiàn)經(jīng)過(guò)幾次反復，最終在第一層終止。顯然這個(gè)測試電路不能達到100Ω的目標阻抗：微帶線(xiàn)和帶狀線(xiàn)的特征阻抗分別是Z0≈120Ω和Z0≈110Ω。從這張圖中可以明顯看出，過(guò)孔的電容因素會(huì )嚴重影響實(shí)際系統中的信號完整性，尤其是在高數據速率時(shí)更甚。

                                                    圖4：在FR4基板的兩個(gè)不同層上布線(xiàn)的差分線(xiàn)反射圖

     作為最后一個(gè)例子，圖5顯示了USB 3.0連接器和電纜的反射圖。USB 3.0組件的額定阻抗是Z0=90Ω±7Ω。TDR設備仍然工作在100Ω的參考阻抗上(時(shí)間范圍t<12.2ns)。從測試適配器到USB 3.0連接器的轉換引起的第一次反射發(fā)生在大約12.3ns，正如預期的那樣與所有測量一致。曲線(xiàn)3(綠色)代表開(kāi)放式適配器的結果，其中的快速阻抗上升指示適配器的(高阻抗)末端。曲線(xiàn)4和5(紅色和藍色)代表兩種不同的USB 3.0電纜組件，每個(gè)組件由一個(gè)適配器和一個(gè)后續電纜組成。雖然電纜都在規范之內，但適配器不符合規范。特別是紅色曲線(xiàn)表明最大阻抗約為122Ω，產(chǎn)生了嚴重反射，進(jìn)而可能導致USB 3.0控制器降低數據速率。

      總之，所有例子清楚地表明，開(kāi)發(fā)人員能夠利用DTDR-65直觀(guān)深入地觀(guān)察傳輸路徑。開(kāi)發(fā)人員和質(zhì)檢人員的任務(wù)通常包含對所獲得的結果進(jìn)行容易理解的歸檔。這項任務(wù)非常重要，但遺憾的是非常耗時(shí)，而且單調乏味。不過(guò)這種不受歡迎的工作現在可以用內置的自動(dòng)化報告生成工具極大地簡(jiǎn)化，只需幾次點(diǎn)擊就能形成圖形化和統計性的擴展性評估結果。另外，對大多數普通線(xiàn)路類(lèi)型來(lái)說(shuō)還可以使用在線(xiàn)阻抗計算器。

 

                              圖5：帶開(kāi)放電路(3)和兩個(gè)不同USB 3.0電纜組件(4和5)的USB 3.0適配器的反射圖

 支持廣泛應用

     必要的附件包含了高質(zhì)量的相位調整過(guò)的同軸電纜以及TDR探針，可用于不同類(lèi)型應用：工業(yè)探針用于生產(chǎn)過(guò)程中的系列測量，高精度探針用于研發(fā)——見(jiàn)圖6。DTDR-65還具有卓越的電磁屏蔽性能，完全可以在電池供電的移動(dòng)應用中使用。

                                                      圖6：用于時(shí)域反射計DTDR-65的不同探針和附件